説明
Optitherm III 赤外温度計温度測定システムは、光ファイバーと最新のパルスレーザー赤外技術を使用し、CVD、MBE、MOCVDまたはスパッタリングアプリケーションでのin-situエピタキシャル成長中のシングルまたはマルチウェーハの温度を正確に測定します。すべてのパッシブ赤外温度計がターゲット放射輝度温度を測定するのに対し、Optithermはスペキュラーターゲットの放射率を動的に決定するため、温度制御のためのウェーハ温度測定精度は±3℃と比類のないものとなっています。
Optithermは、ターゲットの放射率(E%)と真の温度(Te)を決定するアクティブ反射率計の技術を組み込んでいます。これは、赤外線放射温度測定と同じ時間、場所、波長でターゲットの鏡面反射率を自動的に測定し、真のウェーハ温度を決定することで達成されます。マイクロプロセッサーは、1msという非常に速いデータ取得速度でこれらの値を収集し、ホストPCにデータを送信して温度計算、データロギング、即時のプロセス温度制御を行います。
Optithermの赤外線テクノロジーは、正確な温度測定が重要な生産ツール、ウェハプロセス、研究開発など、さまざまなその場半導体アプリケーションに実装できます。Optitherm®の他のプロセスファブリケーションアプリケーションには、ウエハの回転と速度、ウエハのアライメント（位置ずれ）、プロセス障害の動作条件などがあります。
製品の特徴
非接触赤外線温度計
温度と放射率を自動測定
温度範囲: 250°C - 1500°C
温度精度：±3
6波長対応：808, 850, 905, 940,
980および1550nm
データ取得レート1ms
デジタルRS232 PCインターフェース
毎秒70回の読み取り値をホストPCに出力
0.25 "以上のスポットサイズに対応
光ファイバーセンサー温度測定
その他のプロセス・アプリケーションには、ウェハー・ローテーションが含まれる。
速度およびプロセス動作不良条件
製品用途
- ウェハー製造と製造の経済性と品質管理の向上
- ウェハーの製造、研究開発
- 成長率と層厚をモニターする
- のエピタキシャル成長の温度測定：
CVDリアクター
MBEリアクター
MOCVDリアクター
- 鏡面ターゲットと基板
- ウェーハの回転、速度、アライメント、位置決めなどのプロセス障害条件ADVANTAGES
- レイヤー成長中に急激に変化する放射率を測定し、正確な温度決定を実現
- ターゲット材料特性に基づく波帯選択
- 放射率チャンネルはフィールドで校正可能
- 迅速な応答時間対応可能な素材
- シリコン - 炭化ケイ素 - 窒化ケイ素 - ヒ化インジウム - ヒ化ガリウム - 窒化ガリウム
- リン化インジウム - ゲルマニウム - 高研磨金属
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