描述
霍尔效应仪器
- 探索砷化镓半导体中的霍尔效应
- 探讨系统误差及其消除方法
- 确定半导体的导电率
- 利用半导体绘制线圈磁场图
霍尔效应 是指将携带电流的导体或半导体置于磁场中时，导体或半导体会产生侧向电压。这种效应被广泛应用于磁场传感器中。它与几个众所周知的系统误差有关，其中一些可以通过特殊的测量技术消除。
这种霍尔效应仪器 它由安装在横移机构上的 n 型半导体芯片、一对线圈、继电器控制的换向开关和带连接线的控制单元组成。
特点:
- n 型砷化镓霍尔传感器芯片
- 一对有效直径为 75 毫米的亥姆霍兹线圈，在 0.5A 电流下可产生 11.25mT 的中心磁感应强度
- 用于野外绘图的双轴机械横移仪
- 用于磁铁（0-0.5A）和霍尔驱动电流（0-3mA）的恒定电流源
- 用于探索消除系统误差的逆向开关
- 3-1/2 位电流和电压表
- 霍尔效应板金属储存箱
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