描述
Optitherm III 红外测温仪温度测量系统采用光纤和最新脉冲激光红外技术，可在 CVD、MBE、MOCVD 或溅射应用的原位外延生长过程中精确测量单个或多个晶片的温度。所有被动式红外测温仪都测量目标辐射温度，而 Optitherm 则动态确定镜面目标的发射率值，从而实现无与伦比的晶片温度测量精度，达到 ±3°C 的温度控制。
Optitherm 采用主动反射仪技术来确定目标发射率 (E%) 和真实温度 (Te)。这是通过在红外辐射温度测量的同一时间、同一地点和同一波长自动测量目标镜面反射率来实现的，从而确定真实的晶片温度。微处理器以 1 毫秒的极快数据采集速度收集这些值，并将数据传输到主机 PC，用于温度计算、数据记录和即时制程温度控制。
Optitherm 红外技术可用于各种现场半导体应用，包括生产工具、晶圆加工、研发等对温度精确测量至关重要的领域。Optitherm® 的其他工艺制造应用包括晶片旋转和速度、晶片对准（偏离位置）和工艺故障运行条件。
产品特点
半导体晶片温度测量
非接触式红外测温仪
自动测量温度和发射率
温度范围：250°C - 1500°C
温度精度：±3°C
提供 6 种光谱波长：808, 850, 905, 940,
980 和 1550 纳米
数据采集速率至 1ms
数字 RS232 PC 接口
每秒向主机电脑输出 70 个读数
目标光斑尺寸从 0.25 英寸到更大
光纤传感器温度测量
其他工艺应用包括晶片旋转
速度和工艺运行故障条件
非接触式红外测温仪
自动测量温度和发射率
温度范围：250°C - 1500°C
温度精度：±3°C
提供 6 种光谱波长：808, 850, 905, 940,
980 和 1550 纳米
数据采集速率至 1ms
数字 RS232 PC 接口
每秒向主机电脑输出 70 个读数
目标光斑尺寸从 0.25 英寸到更大
光纤传感器温度测量
其他工艺应用包括晶片旋转
速度和工艺运行故障条件
产品应用
- 半导体晶片温度测量
- 改善晶圆制造和生产的经济性和质量控制
- 晶圆的生产、研发
- 监控生长速度和层厚度
- 外延生长的温度测量：
CVD 反应器
MBE 反应堆
MOCVD 反应器
- 镜面目标和基底
- 工艺故障条件，包括晶片旋转、速度、对齐和定位ADVANTAGES
- 测量层生长过程中快速变化的发射率，提供精确的温度测定结果
- 根据目标材料特性选择波段
- 发射率通道可进行现场校准
- 快速响应时间兼容材料
- 硅 - 碳化硅 - 氮化硅 - 砷化铟 - 砷化镓 - 氮化镓
- 磷化铟 - 锗 - 高抛光金属
- 改善晶圆制造和生产的经济性和质量控制
- 晶圆的生产、研发
- 监控生长速度和层厚度
- 外延生长的温度测量：
CVD 反应器
MBE 反应堆
MOCVD 反应器
- 镜面目标和基底
- 工艺故障条件，包括晶片旋转、速度、对齐和定位ADVANTAGES
- 测量层生长过程中快速变化的发射率，提供精确的温度测定结果
- 根据目标材料特性选择波段
- 发射率通道可进行现场校准
- 快速响应时间兼容材料
- 硅 - 碳化硅 - 氮化硅 - 砷化铟 - 砷化镓 - 氮化镓
- 磷化铟 - 锗 - 高抛光金属
买家须知
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